Memoria compacta y eficiente para aplicaciones aeroespaciales

“La tecnología Perpendicular Spin Transfer Torque MRAM de próxima generación de Avalanche nos permite ampliar la oferta de memoria de 64 Mb de alta fiabilidad, cuadruplicando la densidad de la MRAM de 16 Mb inicial en el mismo formato de 10 x 10 mm”, destaca Jeremy Adams, Vicepresidente de Productos y Servicios de Micross. “La combinación de bajo consumo, resistencia infinita, alto rendimiento y escalabilidad de STT-MRAM contribuyen a desarrollar las soluciones de memoria no volátil más compactas y eficientes para los sectores espacial y aeroespacial”.

Hoy os presentamos una memoria STT-MRAM de 64 Mb con un diseño compacto y eficiente para aplicaciones aeroespaciales, del fabricante Micross, empresa representada en España y Portugal por Anatronic, S.A. Esta memoria STT-MRAM ofrece bajo consumo, alta resistencia, alto rendimiento y escalabilidad.

Esta memoria STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetoresistive Random Access Memory) de 64 Mb en un Die “Hermetic Quad” se basa en el silicio de 16 Mb de Avalanche Technology.

El nuevo dispositivo con SwaP optimizado ofrece un acceso de “lectura” y “escritura” verdaderamente aleatorio en el array de memoria, con el valor añadido de ser muy resistente al flujo magnético, mitigando la necesidad de apantallado adicional.

Con un diseño compacto y eficiente, las memorias STT-MRAM garantizan la protección en entornos adversos y el mejor perfil de potencia de todas las memorias no volátiles. Por lo tanto, resultan ideales en aplicaciones militares y aeroespaciales.

La STT-MRAM de 64 Mb (4Mb x 16) se convierte en la memoria MRAM con mayor densidad de la representada de Anatronic. Esta STT-MRAM de 64 Mb se presenta en cuatro versiones de encapsulado hermético de 10 x 10 mm (CLGA y CBGA en definiciones de 48 y 60 pads/solder-ball) con opciones de RAD-HARD, RAD-Tolerant y Non-Radiation.

La nueva memoria, fruto de la colaboración de Micross y Avalanche Technology, proporciona una alta resistencia casi infinita con una retención de datos de más de diez años en el rango de temperatura de -40 a +125 °C y con una tensión de 2,7 a 3,6 V. Tiene un tiempo de acceso de 45 ns en este rango de temperatura militar.

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